제이머티리얼즈

J Materials Co., Ltd

Product
项目简介 分销半导体材料

分销半导体材料

  • POLY SILICON

  • 多晶硅是位于连接半导体Wafer、半导体用硅部件、大阳光模块等多种系统的价值链（PV Value Chain）中最前端的核心基础材料。

  • INGOT

  • 将洗净至高纯度的硅溶液放入铸件中旋转，可制成硅柱（Ingot）。
    利用硅晶体成长技术Czochralski法（CZ）或Floating Zone法(FZ)等获得后，用作半导体晶圆与半导体硅部件。

  • WAFER

  • “晶圆（Wafer）”是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片。
    晶片是从沙子中提取的硅，将硅（Si）演化成的单晶柱切片而成的圆形板块。

  • SLURRY

  • 作为处理半导体晶圆及部件等表面工艺的主要消耗类液体，通过加入阴离子表面活性剂改善了分散性、清洁性及晶圆表面的Stain现象。

Sililcon Materials

  • 多晶硅的用途

  • 多晶硅是半导体核心产品晶圆的原材料，用于加工晶圆的硅部件用硅柱、模块等半导体主要产业价值链 PV Value Chain）最前端的核心基础材料。
    J Materials分销10-Nine级（纯度为99.99999999%）以上的超高纯度产品，用于制作半导体部件硅柱，以及用于半导体晶圆的11-Nine级（纯度为99.99999999%）多晶硅。

  • 制造过程

  • 主原料是将硅（SiO2）还原成碳化合物制作成的金属硅（MG-Si），与氢、盐酸等混合而制的混合硅烷，通过蒸馏工艺制造成高纯度的三氯化硅烷(TCS)。再将其在高温状态下进行化学沉淀反应，获得高纯度固体多晶硅（Polysilicon）。

    半导体行业( Value Chain)

Appearance and Features

Property Specification
Appearance Qualified materials ㆍ Quality indicators of polysilicon blocks or bars consistent with contract terms
ㆍ The appearance and surface of the material are small and smooth
ㆍ May have cracks less than 3mm deep, but no interlayer
Coral materials ㆍ Blocks or bars of polysilicon, for facades and materials with small appearance, not smooth, or cracks with a surface greater than 3mm
ㆍ If the quality of these materials meets the contractual requirements, they are classified as Materials in any proportion
Wastes ㆍ Silicon particles and materials with graphite less than 3mm
Miscellanous items ㆍ Silicon material is not classified as Qualified Material, Coral Material, Waste

Bulk purity parameters

Item Donor
(ppta)		 Acceptor
(ppta)		 Carbon
(ppma)		 Total Bulk Metal
(ppbw)
XHP ≤150 ≤50 ≤0.080 ≤1.000
XHG
XHS
XHN ≤300 ≤100 ≤0.100 ≤1.000

Surface metal(pptw)

Surfac
treatment		 Na Al K Cr F Ni Cu Zn
AE ≤800 ≤500 ≤300 ≤80 ≤500 ≤80 ≤50 ≤200
CH ≤1000 ≤800 ≤400 ≤100 ≤1000 ≤200 ≤100 ≤500

Size

Size
number		 1# 2# 3# 4# 5# ...
Size/mm 2-6 6-45 45-100 20-70 30-100

Sililcon Materials - Ingot

产品名称 Silicon Crystal Silicon Ingot Multi-Crystal Silicon “Poly Ingot”
应用 Si Electrode
Si Ring
Si Parts 		Si Ring
Si Parts
特征 Single Crystal Silicon Ingot Poly Ingot
纯度(%) 99.9999999%(11N) 99.9999999(9N)
直径 Ø215~Ø600mm Customer Specification
长度 ≤ 355mm
(≤0.02 ohm.cm) 		G6: 998mm*998*300
Gr: 1170mm*1170*300
方向 <100>,<110>,<111> Columnar
Type P type, Boron Doped P type, Boron Doped
阻力 0.001~1000 Ω~Cm 0.001~1000 Ω~Cm
含氧量(ppma) ≤ 20 ppma ≤ 20 ppma
含碳量(ppma) ≤ 0.3 ppma ≤ 0.3 ppma

Design

Diameter Type/Orientation Resistivity(Ω·cm) Slip Length
200mm~300mm p<100>or as
customer
requried 		<0.02
1-5
60-90 		free 150mm~500mm
200mm~450mm p<100>or as
customer
requried 		<0.02
1-5
60-90 		free 150mm~400mm

Quality Management

Parameter Method Standard
Resistivity 4-Point Probe SEMI
Impurities GDMS IC-Grade
Oxygen/Carbon SIMS Per-Spec

Sales Wafer

  • 晶圆概述

  • 半导体集成电路（Semiconductor Integrated Circuit）是指将许多裸片集成在一个芯片内的电子器件，是用于处理及存储各种功能。而“晶圆（Wafer）”是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片。
    晶片是从沙子中提取的硅，将硅（Si）演化成的单晶柱切片而成的圆形板块。

Purpose 12 INCH
12“
New		 12“
Reclaim		 12“
Reclaim		 12“
New Bare		 12“
New Bare		 12“
New Oxide
Wafer
Thickness		 775 +25, -35um 700~800um 750~800um 750~800um 730~800um 730~800um
Oxide
Thickness		 1.0um±5% 1.0um±5% N/A N/A N/A N/A
Type P-type P-type P-type P-type P-type P-type
Notch/Flat Notch Notch Notch Notch Notch Notch
Purpose 8 INCH
8“
New Oxide		 8“
Reclaim		 8“
Reclaim		 8“
New Bare		 8“
New Oxide		 8“
Reclaim		 8“
Reclaim		 8“
New Bare		 8“
New Bare
Wafer
Thickness		 725±25um 725±25um >600 725±25um 725±25um >700um >600um 725±25um 725±25um
Oxide
Thickness		 1.0um 1.0um N/A N/A 1.0um 1.0um N/A N/A N/A
Type P-type P-type P-type P-type P-type P-type P-type P-type P-type
Notch/Flat Notch Notch Notch Notch Flat Flat Flat Flat Notch

Slurry

  • JMS-100BH Slurry

  • 清洁改善

    胶体二氧化硅通过二氧化硅颗粒表面的（-）charge相互排斥现象保持稳定，图中M+是代表金属稳定离子。
    通过添加阴离子表面活性剂改善了分散性、清洁性及晶圆表面的Stain现象。

    改善防止pH stocking环境

    为了提高磨炼率与pH值平衡度，再次添加胺类。与只添加一次的第三方产品相比，不仅改善了添加剂（胺类）蒸发时产生的气味问题，还改善了pH值极速下降的pH stocking问题。
    其他公司胺类的首次沸点为常温（27℃）环境可能会引起（气味） 问题，以及使用Slurry时可能会出现pH stocking 问题。

    改善颗粒分布

    相对其他公司，二氧化硅颗粒的分布度最密呈球形（spherical）。

    改善金属杂质

    Slurry内金属杂质最低，通过在Slurry内加入螯合试剂（Chelating agent）控制Cu、Ni离子。

Appendix - Physical properties

品种 Unit JMS-100BH J..社 Remark
磨料 Colloidal silica Colloidal silica
固体含量 % 12.0±2.0 12.0±2.0
SpeᆞGra - 1.09 1.070
尺寸 nm 90-110nm 80-120nm 颗粒分布状态佳
粘性(at 25℃) cps <3 <3
pH - 11.31 11.45
pH控制器 NH22+ NH4+ 无异味

  • JMS-100BH 90-110nm

  • J..社 80-120nm